技术介绍

IGBT(绝悦魅栅双极型晶体管)，是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS（绝悦魅栅场效应管）组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件，其具有自关断的特征。

技术特点

●   无铅软焊料高可靠性粘片技术；
●   超薄芯片的封装技术；
●   镀镍框架粗铝线高可靠性键合技术；
●   高性能铜片、铝带键合以及混淆键合技术；
●   使用高可靠的绿色环保型塑封料解决防分层、防溢料技术，
●   使用DBC进行高电压、大电流多芯片封装技术；
●   高可靠性功率器件实验及失效剖析技术。

应用领域

IGBT广泛应用于工业、4C（通信、盘算机、消费电子、汽车电子）、航天航空、国防军工等古板工业领域。