此器件为 P 沟道、-20V耐压、65mΩ内阻、DFN6L(0202) 双通道封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、信号驱动等应用领域。
特性
低内阻
优异的Qg
低FOM
低输入电容
切合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗攻击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
驱动损耗低
应用
负载开关/ 信号驱动
地点：西安经济技术开发区尚稷路8928号
邮箱：hy@hymexa.com; xa.sales@hymexa.com
电话：+86 29-86685706
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