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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单P

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划
HYA060P04LQ2C2

HYA060P04LQ2C2

此器件为40VP、5.3mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品，接纳Trench流片工艺，该器件应用在� ；ぐ宓扔τ昧煊�。

特性

切合RoHS标准  

100% DVDS测试

100% UIL测试

领先的封装工艺


优势

优异的导热及散热性能力 

高可靠性

高功率密度

稳定的工艺能力    

易装置


应用

BMS   

HYA060P04LQ2C2

模型

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