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产品与计划

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MOSFET 第三代半导体 智能功率�？� IGBT 应用计划

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单P

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划

HYG120P06LR1D

HYG120P06LR1D

此器件为 -60V、11.5mΩ、TO-252-2L封装产品，接纳Trench流片工艺，可满足如防反接，电池治理系统等应用领域。

HYG120P06LR1D产品说明书

特性

切合RoHS标准、100% DVDS测试、100% UIL测试

优势

高可靠性、稳定的工艺能力

应用

锂电池�；ぐ�

HYG120P06LR1D

模型

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