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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用计划
HYG092N06LS1S

HYG092N06LS1S

此器件为60V、8.2mΩ、SOP8L封装产品,接纳SGT流片工艺,该器件应用在DC-DC电源,电机驱动等应用领域。

特性

切合RoHS标准  

100% DVDS测试

100% UIL测试

提升系统效率

领先的封装工艺



优势

开关损耗低  

优异的导热及散热性能力 

高可靠性

稳定的工艺能力



应用

DC_DC电源板,电机驱动  

HYG092N06LS1S

模型

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