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产品与计划

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MOSFET 第三代半导体 智能功率�？� IGBT 应用计划

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单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划

HYA060N04LS1C1

HYA060N04LS1C1

此器件为40V、6.5mΩ、PDFN8L(3.3*3.3)封装产品，接纳SGT流片工艺，该器件应用在车载小电机等应用领域。

HYA060N04LS1C1产品说明书

特性

切合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

开关损耗低

优异的导热及散热性能力

高可靠性

稳定的工艺能力

应用

车载小电机

HYA060N04LS1C1

模型

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