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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划
HYG090N04LS1C1

HYG090N04LS1C1

此器件为40V、6.2mΩ、PDFN8L(3.3×3.3)封装产品，接纳SGT流片工艺，可应用在锂电保板，电机驱动等领域。

特性

切合RoHS标准  

100% DVDS测试

100% UIL测试


优势

开关损耗低  

优异的导热及散热性能力 

高可靠性

稳定的工艺能力


应用

锂电保板，电机驱动

HYG090N04LS1C1

模型

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