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产品与计划

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MOSFET 第三代半导体 智能功率�？� IGBT 应用计划

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单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划

HYG022N04LS2C2

HYG022N04LS2C2

此器件为40V、2.1mΩ、PDFN(5*6)封装产品、接纳SGT流片工艺、该器件适合锂电池�；ぐ濉⒌缍ぞ叩扔τ昧煊�。

HYG022N04LS2C2产品说明书

特性

低内阻

切合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

通态损耗小

抗攻击能力强

优异的导热及散热性能力

稳定的工艺能力

应用

锂电池�；ぐ濉⒌缍ぞ摺C-DC转换

HYG022N04LS2C2

模型

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