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产品与计划

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MOSFET 第三代半导体 智能功率�？� IGBT 应用计划

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单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划

HY3007B

HY3007B

此器件为68V、5.0mΩ、TO-263-2L封装产品，接纳Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如�；ぐ�，电机驱动等应用领域。

HY3007B产品说明书

特性

低内阻

切合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

通态损耗小

抗攻击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性

应用

电动车控制器，锂电池�；ぐ�

HY3007B

模型

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