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产品与计划

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MOSFET 第三代半导体 智能功率�？� IGBT 应用计划

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单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划

HY4504B

HY4504B

此器件为40V、2.3mΩ、TO-263-2L封装产品，接纳Trench流片工艺，该器件适合锂电�；ぐ宓扔τ昧煊�。

HY4504B产品说明书

特性

低内阻

切合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

抗攻击能力强

稳定的工艺能力

应用

锂电�；ぐ�

HY4504B

模型

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