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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划
HYG067N07NQ1B

HYG067N07NQ1B

此器件为 68V、6.5mΩ、TO-263-2L封装产品 ，接纳Trench流片工艺 ，可满足如锂电池� ；ぐ宓扔τ昧煊�。

特性

低内阻

100%  DVDS测试

100% UIL测试

切合RoHS标准


优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性性

高功率密度


应用

BMS   

HYG067N07NQ1B

模型

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