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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率�？�
IGBT
应用计划
HY1906B

HY1906B

此器件为 60V、6.0mΩ、TO-263-2L封装产品，接纳Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如掩护板，电机驱动，逆变器等应用领域 。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

切合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试 

优势

通态损耗小

抗攻击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性

应用

  电机驱动，锂电池掩护板，逆变器

HY1906B

模型

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