此器件为 N 沟道、30V耐压、7.3/8.8mΩ内阻、DFN8L(0303)半桥结构封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池� ；�/负载开关等应用领域。
特性
优异的Qg
低输入电容
切合RoHS标准
提升系统效率
优势
通态损耗小
抗攻击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
DC-DC/同步整流
地点：西安经济技术开发区尚稷路8928号
邮箱：hy@hymexa.com; xa.sales@hymexa.com
电话：+86 29-86685706
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