此器件为40V N+P结构、15.7/33.1mΩ内阻、PDFN5*6封装产品，芯片接纳Trench工艺设计。该器件抗攻击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等应用领域
特性
低内阻
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
切合RoHS标准
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗攻击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
电机驱动/无线充/DC-DC
地点：西安经济技术开发区尚稷路8928号
邮箱：hy@hymexa.com; xa.sales@hymexa.com
电话：+86 29-86685706
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